“硼厚膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1055400个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于离子束溅射沉积的六方氮化硼厚膜及制备方法和应用-CN202010589908.6有效
发明人：殷红;李冬冬;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料和半导体材料领域，提供了一种基于离子束溅射沉积的六方氮化硼厚膜及制备方法和应用。本发明采用双离子束溅射沉积结合离子束清洗的方法，在衬底表面制备大面积的高质量六方氮化硼厚膜，克服了化学气相沉积方法制备六方氮化硼膜时通常使用有毒、易燃前驱体，解决了以往制备六方氮化硼厚膜时应力过大导致厚膜顶端开裂以及对衬底的附着力不好的问题，不使用催化金属\合金等衬底过渡层和氮化物缓冲层，通过控制离子束溅射沉积的参数，制备的六方氮化硼厚膜的稳定性明显提高、结构更为有序、杂质含量极少、绝缘性良好、膜厚可达1μm。本发明制备的六方氮化硼厚膜可应用于电子和光电子器件中的绝缘层、保护层、介质层和散热层等。
基于离子束溅射沉积氮化硼厚膜制备方法应用

[实用新型]一种用于厚膜掺硼金刚石电极的导电装置-CN201821360284.5有效
发明人：徐健;张云龙;邓朝阳 -专利权人：南京元汀环境科技有限公司
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C02F1/461 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于厚膜掺硼金刚石电极的导电装置，包括：螺栓，导电压环，厚膜掺硼金刚石电极，柔性导电材料，接电柱等，两个导电压环形状相同，且具有特定高度h1的台阶结构，其中h1的范围是0.1～5mm，在导电压环的台阶内填充环形柔性导电材料，并将厚膜掺硼金刚石电极夹在导电装置的中间，用螺栓压紧两个导电压环，使得厚膜掺硼金刚石电极通过柔性导电材料与导电压环实现良好电接触，厚膜掺硼金刚石电极的厚度范围是本实用新型避免了对厚膜掺硼金刚石电极力学强度的高要求以及对其表面平整度的要求，大幅度降低了生产成本。
掺硼金刚石电极厚膜电压环导电装置柔性导电材料本实用新型螺栓表面平整度导电材料环形柔性台阶结构电接触电柱压紧填充生产成本力学

[发明专利]基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法-CN202010588569.X有效
发明人：殷红;李冬冬;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：一种基于六方氮化硼厚膜的深紫外光电探测器及制备方法，包括衬底、紫外光敏层和叉指电极，其中紫外光敏层为高质量六方氮化硼厚膜，对日盲波段有很好的响应。所述六方氮化硼厚膜本身具有的固有性能非常卓越，通过离子束溅射沉积方法制备六方氮化硼厚膜纯度非常高，具有良好的稳定性、厚度可控、无毒无污染等优点，通过掺杂目标杂质可以调整带隙宽度，从而提高了深紫外光电探测器的光电导增益和短波段光响应
基于氮化硼厚膜深紫光电探测器制备方法

[发明专利]一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法-CN201610027359.7有效
发明人：殷红;赵艳;高伟;李英爱;李红东 -专利权人：吉林大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明的一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜的方法，属于超硬材料及其制备的技术领域。以硅片为衬底，以h‑BN或单质硼靶为溅射靶材，采用两步沉积法制备c‑BN厚膜。在Ar/N2混合气体气氛下先溅射第一层氮化硼膜，再通入H2，按质量流量计H2用量为气体总流量的4％～15％，保持衬底温度、调节衬底负偏压溅射第二层氮化硼膜。本发明的方法在不使用过渡层、加H2量较少的条件下，直接在硅衬底上获得立方相含量75％以上，甚至超过95％的c‑BN厚膜，膜厚可达4μm以上，其稳定性得到了显著提高。
一种磁控溅射制备立方氮化硼厚膜方法

[发明专利]无机电阻厚膜、其制备方法和应用-CN201310418521.4有效
发明人：李琴;简伟雄 -专利权人：李琴;简伟雄
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明适用于新材料领域，提供了一种无机电阻厚膜、其制备方法和应用。该无机电阻厚膜包括石墨粉、氧化铋、氧化硼、二氧化硅、三氧化二锑、氧化锌及碳酸锶等。本发明无机电阻厚膜，通过使用氧化铋作为骨架材料，再配合使用氧化硼、二氧化硅、氧化锌及碳酸锶等组分，既实现了无机电阻厚膜的性能，同时，相对于现氧化铅的零含量，防止了人们在生产、使用无机电阻厚膜时铅中毒和对环境的污染；而且，由于氧化铋的使用，使无机电阻厚膜的使用温度大大提高，扩大了无机电阻厚膜的应用范围。本发明无机电阻厚膜制备方法，操作简单，成本低廉，非常适于工业化生产。
无机电阻制备方法应用

[实用新型]一种碳化硼膜厚仪自适应定位测试装置-CN202121817576.9有效
发明人：岳光;魏涛 -专利权人：安徽瑞西尔德新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本申请涉及膜厚仪装置技术领域，且公开了一种碳化硼膜厚仪自适应定位测试装置，电机转动通过双向螺纹杆、螺纹固定配合使用，使螺纹固定带动安装箱向内侧或向外侧运动，安装箱向内侧或向外侧运动带动连接板一与连接板二转动，使两个安装箱之间的距离改变，从而达到便于安装箱带动探测器移动，然后转动碾压轮带动碳化硼膜运动到工作台的顶部，同时碾压轮转动通过转盘、转杆、拉杆、动力杆、螺纹固定、安装箱配合使用，使安装箱带动探测器向下或向上运动，探测器向下运动与碳化硼膜相接触，使探测器对碳化硼膜进行测试，探测器向上运动脱离与碳化硼膜的相接触，同时碾压轮推动测试过的碳化硼膜继续运动，完成运输测试完成碳化硼膜的目的。
一种碳化硼膜厚仪自适应定位测试装置

[发明专利]一种用于氢硼聚变靶膜的自支撑薄膜的制备方法-CN201911107008.7有效
发明人：赵冠超;代玲玲;何延如;魏彦存;耿金峰;聂革 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明涉及膜材料制备技术，具体公开了一种用于氢硼聚变靶膜的自支撑薄膜的制备方法，先于衬底上制备一层300nm～1000nm厚、粗糙度在1nm以内的二氧化硅薄膜，再于该二氧化硅薄膜上采用高温工艺制备自支撑薄膜，最后经脱膜处理得到自支撑薄膜产品。采用本发明所述制备方法制备的自支撑薄膜均匀、致密、缺陷少，利于提高后续聚变反应的信号的稳定性，不易产生裂纹和爆膜，能满足氢硼聚变实验对超薄硼膜和微米级厚硼膜的需求。
一种用于聚变支撑薄膜制备方法

[发明专利]厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件-CN202180032116.1在审
发明人：安藤真规;永野崇仁 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，提供在使用硼硅酸铅玻璃作为绝缘材料的同时，外观上无裂纹异常，且具有足够的抗浪涌性能的厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。前述含氧化钌玻璃粉末含有10质量％以上且60质量％以下的氧化钌，并且，玻璃组成中，相对于玻璃成分100质量％，含有60质量％以下的氧化硅、30质量％以上且90质量％以下的氧化铅、5质量％以上且50质量％以下的氧化硼，并且，相对于玻璃成分100质量％，氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量％以上。
电阻电子部件

[发明专利]一种氢硼聚变靶膜及其制备方法与应用-CN201911110110.2有效
发明人：赵冠超;代玲玲;魏彦存;耿金峰;聂革 -专利权人：新奥科技发展有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：本发明涉及膜材料制备技术，具体公开了一种氢硼聚变靶膜及其制备方法与应用，所述制备方法具体为：先于基底上制备一层300nm～1000nm厚、粗糙度在1nm以内的二氧化硅薄膜，再于该二氧化硅薄膜上制备一层30nm～50nm厚、粗糙度在1nm以内的金膜，而后在该金膜上采用高温工艺制备纳米级超薄硼膜，最后经脱膜处理溶解所述二氧化硅薄膜，获得金膜和硼膜的结合物，即得所述氢硼聚变靶膜。采用本发明所述制备方法制备的靶膜均匀性、平整度、致密度和环境稳定性优异，利于削弱衬底和硼膜本身对信号分析的影响；且由于金膜衬底的存在，使得在其上采用高温工艺制备的硼膜更薄、强度更高，能够用于在衬底背面检测信号的聚变反应中
一种聚变及其制备方法应用

[发明专利]基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法-CN202010588559.6有效
发明人：殷红;刘彩云;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：一种基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法，包括：衬底；氮化硼缓冲层，位于所述衬底之上；立方氮化硼厚膜，位于所述氮化硼缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述立方氮化硼厚膜之上。本发明利用立方氮化硼超宽禁带的电子学特性和极端环境下的稳定性等显著的材料性能优势，将其作为光吸收层，能够直接获得器件在深紫外区的光电响应，暗电流低、灵敏度高、响应速度快；本发明的MSM型深紫外光电探测器可应用于高温高压
基于立方氮化硼厚膜 msm 深紫光电探测器制备方法

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料及金属化方法-CN202110884017.8有效
发明人：谢斌;刘亮 -专利权人：合肥邦诺科技有限公司
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料，主要组分为导电相粉体、粘接相玻璃粉体和有机载体，粘接相玻璃粉体的烧结温度为730～860℃；氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料还包含一硼化钨。本发明氮化铝陶瓷基板的厚膜金属化浆料中包含一硼化钨，烧结温度下金属化浆料与氮化铝的界面处产生的氮气以及浆料中的氧气与一硼化钨反应，反应产物还能降低烧结温度下厚膜金属化浆料中的粘接相粘度，加速气泡的排出；上述因素均有助于减少金属膜层中的气泡残留，提高金属膜层的致密性和与基板的结合强度。
一种氮化陶瓷金属化浆料方法

[发明专利]厚膜电阻糊、厚膜电阻体和电子部件-CN202180031480.6在审
发明人：安藤真规;永野崇仁 -专利权人：住友金属矿山株式会社
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明的课题是，提供在使用硼硅酸铅玻璃的同时，外观上无裂纹异常，且具有足够的抗浪涌性能的特别是低电阻用途优异的电阻体用厚膜电阻糊、使用该厚膜电阻糊的厚膜电阻体以及具备该厚膜电阻体的电子部件。10质量％以上且60质量％以下的氧化钌，并且，玻璃组成中，相对于玻璃成分100质量％，含有3质量％以上且60质量％以下的氧化硅、30质量％以上且90质量％以下的氧化铅、5质量％以上且50质量％以下的氧化硼，并且，相对于玻璃成分100质量％，氧化硅、氧化铅和氧化硼的合计含量为50质量％以上。
电阻电子部件

[发明专利]用于氮化铝衬底的厚膜导体浆料组合物-CN96110998.X无效
发明人：Ｋ·冈本 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 1996-08-16 - 公布日： 2002-12-18 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：本发明涉及厚膜导体浆料组合物，可用厚膜技术将其加于氮化铝衬底上，可用丝网印刷或涂覆然后焙烧的方法在衬底上形成厚膜导体。将导体粉和硼化物分散于有机媒体中制成该组合物。
用于氮化衬底导体浆料组合

[发明专利]包含铅-碲-硼-氧化物的厚膜浆料以及它们在制造半导体装置中的用途-CN201180031184.2有效
发明人： A·F·卡罗尔;K·W·杭;B·J·劳克林;K·R·米克斯卡;C·托拉迪;P·D·韦尔努伊 -专利权人： E·I·内穆尔杜邦公司
申请日： 2011-05-04 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C03C8/10 文献下载
摘要：本发明提供了用于印刷具有一个或多个绝缘层的太阳能电池装置的前侧面的厚膜浆料。所述厚膜浆料包含导电金属和分散在有机介质中的铅-碲-硼-氧化物。
包含氧化物浆料以及它们制造半导体装置中的用途

[发明专利]用于电子设备的厚膜导电墨-CN201410134696.7在审
发明人： L.M.阿尔鲍夫;D.A.史密斯;T.J.古斯 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01B1/20 文献下载
摘要：在本文中提供了用于电子设备的厚膜导电墨、用于使用厚膜导电墨制作电子设备的方法、及通过这样的方法制造的电子设备。在一个示例中，厚膜导电墨包括有机部分和无机部分。所述无机部分包括金属铜粉末、铜氧化物、及元素硼。所述厚膜导电墨基本上不包括玻璃。
用于电子设备导电

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条